De Techniekco. van het Wuhan Globaal Metaal, Ltd
De pioniersfabrikant van verwarmers & sensoren
De Techniekco. van het Wuhan Globaal Metaal, Ltd
De pioniersfabrikant van verwarmers & sensoren
 |
| Plaats van herkomst: | China |
| Merknaam: | GME |
| Certificering: | ISO9001 |
| Modelnummer: | OEM |
| Min. bestelaantal: | 10pcs |
|---|---|
| Verpakking Details: | standaard export verpakkingen |
| Levertijd: | 7-15 dagen |
| Betalingscondities: | Bevestigingsbrief, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram |
| Levering vermogen: | 100000pcs/month |
| maximum het werk temperatuur: | 1700℃ | Type: | De Buis van de thermokoppelbescherming |
|---|---|---|---|
| Punt: | De opnieuw gekristalliseerde buis van het Siliciumcarbide | ||
| Markeren: | thermokoppeltoebehoren,thermokoppeldelen en componenten |
||
De opnieuw gekristalliseerde Buis van de het Thermokoppelbescherming van het Siliciumcarbide/RSic-buis
de buis van het siliciumcarbide wordt hoofdzakelijk gebruikt in de productie van aluminium, koper en zink, als voeringsmateriaal van de gesmolten pool en het elektrolytische bad (verminderingsbad). De zijdievoering van het verminderingsbad erodeert door aluminium en kryoliet (als additief wordt gebruikt), maar Si3N4 plakte sic materiaal kon niet door aluminium worden geërodeerd, en heeft geen chemische reactie met kryoliet. Zo is dit soort materiaal ideaal voor de voeringsbakstenen van het elektrolytische bad. In het bijzonder heeft dit soort bakstenen de uitstekende eigenschappen van weerstand met hoge weerstand, schurende en niet geleidend, zo het copolymeer (Al2O3 en Kryoliet). Het copolymeer houdt van beschermende film de werkende voering te beschermen en de levensduur van elektrolytisch bad van de pijp van het siliciumcarbide te verbeteren.
Tegelijkertijd, plakte Si3N4 bakstenen heeft sic lager warmtegeleidingsvermogen dan siliciumbakstenen, zodat kunnen zij verminderen
dikte van de zijgevel of input hogere macht aan uitgestrektheid de ladingscapaciteit van het elektrolytische bad, en om te verhogen
output. Wegens het hoge weerstandsvermogen van het materiaal, kan het de machtsconsumptie verminderen die van de zijgevel over 15%, energie besparen en milieu op de buis van het siliciumcarbide beschermen.
De specificaties over het siliciumcarbide leiden door buizen:
1. Beste producerende technologie in China. Onze buizen kunnen in plaats van Japanse buizen in de oven van de Aluminiumsmelting zijn.
2 zeer vlotte oppervlakte om eender welke bevlekte metaalvloeistof te vermijden.
3. Goed warmtegeleidingsvermogen.
4. Hoge tempreaturesterkte.
5. Speciale groef om vast gemakkelijk te zijn.
PropertiesUnitRSiCContents: RSiCVol%> 99NSiC0Bulk Densityg/cm 32.65-2.75Apparent Porosity%15Modulus van breuk bij 20°CMPa90-100Modulus van breuk bij 1200°CMPa110Modulus van breuk bij 1350°CMPa120Modulus van het Verpletteren bij 20°CMPa300Thermal-geleiding bij 1200°Cw. m-1. k-136.6Thermal Uitbreiding bij 1200°Ca×10-6/°C4.69Thermal-Schokweerstand bij 1200°C GoodMax. Het werken Temperature°C1620 (oxid)
PropertiesUnitRSiCContents: RSiCVol%> 99NSiC0Bulk Densityg/cm 32.65-2.75Apparent Porosity%15Modulus van breuk bij 20°CMPa90-100Modulus van breuk bij 1200°CMPa110Modulus van breuk bij 1350°CMPa120Modulus van het Verpletteren bij 20°CMPa300Thermal-geleiding bij 1200°Cw. m-1. k-136.6Thermal Uitbreiding bij 1200°Ca×10-6/°C4.69Thermal-Schokweerstand bij 1200°C GoodMax. Het werken Temperature°C1620 (oxid)
Parameter
Eigenschappen Eenheid RSiC
Inhoud: RSiC% vol. > 99
NSiC 0
Bulkdichtheid g/cm 3 2.65-2.75
Duidelijke Poreusheid % 15
Modulus van breuk bij 20°C-MPa 90-100
Modulus van breuk bij 1200°C-MPa 110
Modulus van breuk bij 1350°C-MPa 120
Modulus van het Verpletteren bij 20°C-MPa 300
Thermische geleiding bij 1200°C w. m-1. k-1 36.6
Thermische Uitbreiding bij 1200°C a×10-6/°C 4.69
Thermische Schokweerstand bij 1200°C-Goed
Max. het Werk Temperatuur °C 1620 (oxid)
Beelden
